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Gli scienziati ottengono una strana nuova forma di silicio

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Il nostro tempo è talvolta chiamato scherzosamente "Età del silicio", perché questo elemento è utilizzato in quasi tutti i dispositivi elettronici che formano il nostro mondo moderno.

Pertanto, non sorprende che gli scienziati di tutto il mondo stiano lavorando attivamente con il silicio per ottenere nuove combinazioni precedentemente sconosciute e quindi migliorare le proprietà dell'elettronica moderna dispositivi.

Così un gruppo scientifico guidato dal Carnegie Institute of Science ha ottenuto un nuovo modo per creare una forma di silicio con una struttura esagonale unica.

Il carbonio e le sue nuove forme

Come sapete, gli elementi sono in grado di assumere una varietà di forme cristalline, che gli scienziati chiamano allotropi. E a seconda della disposizione degli atomi, essi (strutture) possono avere proprietà completamente diverse.

Ad esempio, il carbonio può esistere in whist bidimensionali nella cosiddetta forma di grafene, una pila di tali fogli è già grafite, mentre il diamante ha una forma cubica, ecc.

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Quindi la forma di silicio più comunemente usata ha la stessa struttura del diamante. Ma gli scienziati comprendono che potenzialmente altre forme possono avere proprietà elettroniche utili e quindi condurre numerosi esperimenti.

Nel 2014, gli ingegneri di Carnegie hanno ottenuto un nuovo allotropo di silicio chiamato Si24, costituito da fogli di silicio disposti in anelli di cinque, sei e otto atomi.

In questo caso, gli spazi formati al centro di tali anelli sono stati in grado di formare canali unidimensionali per l'avanzamento di altri atomi.

In un nuovo studio condotto, gli scienziati hanno creato un metodo per convertire Si24 in un altro allotropo completamente nuovo.

Gli scienziati hanno riscaldato i cristalli di Si24 e questo ha causato l'allineamento dei fogli sottili in quattro strati ripetuti. Questo ha dato il nome alla struttura risultante: silicio 4H.

Gli scienziati hanno affermato che questa è la prima volta che sono riusciti a creare cristalli sfusi stabili di questo tipo di materiale.

(a) Misurazione della trasmissione nel vicino infrarosso (NIR - VIS) Parte 4. ORA. - Si. con una variazione di pendenza nell'intervallo 1,15–1,2 eV, evidenziando il bordo di assorbimento (freccia rossa). (b) Struttura a bande calcolata per. 4. ORA. - Si. visualizzazione del band gap indiretto (Γ. - m. ) 1.2 eV. (c) Schema di una palla e di un bastone che mostra il percorso di transizione di energia minima da. Si. 24. (blu) c. 4. ORA. - Si. (verde) generato con vesta -v3
(a) Misurazione della trasmissione nel vicino infrarosso (NIR - VIS) Parte 4. ORA. - Si. con una variazione di pendenza nell'intervallo 1,15–1,2 eV, evidenziando il bordo di assorbimento (freccia rossa). (b) Struttura a bande calcolata per. 4. ORA. - Si. visualizzazione del band gap indiretto (Γ. - m. ) 1.2 eV. (c) Schema di una palla e di un bastone che mostra il percorso di transizione di energia minima da. Si. 24. (blu) c. 4. ORA. - Si. (verde) generato con vesta -v3

Dove può essere applicata questa nuova struttura?

Finora, anche gli scienziati non comprendono appieno dove esattamente questa nuova struttura può essere applicata in pratica, ma gli scienziati suggeriscono che che il loro lavoro in futuro consentirà il miglioramento di componenti come transistor o energia fotovoltaica sistemi.

Gli scienziati hanno condiviso i risultati del lavoro svolto sulle pagine della rivista Lettere di revisione fisica.

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